TH58NVG3S0HBAI4现货供应

描述

Capacity (bit)：8G(4G×2)
Tech. node (nm)：24
Page size (bit)：(4096+256)×8
Block size (bit)：(256K+16K)×8
I/O (bit)：8
Keyword：8Gbit SLC NAND, 3.3V, x8, 24nm, FBGA
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available

—— 技术参数 ——

制造商: Toshiba 
产品种类: NAND闪存 
RoHS:  详细信息  
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: FBGA-63 
存储容量: 8 Gbit 
接口类型: Parallel 
组织: 1 G x 8 
定时类型: Synchronous 
数据总线宽度: 8 bit 
电源电压-较小: 2.7 V 
电源电压-较大: 3.6 V 
电源电流—较大值: 30 mA 
较小工作温度: - 40 C 
较大工作温度: + 85 C 
封装: Tray 
存储类型: NAND  
产品: NAND Flash  
速度: 25 ns  
商标: Toshiba Memory  
产品类型: NAND Flash  
工厂包装数量: 210  
子类别: Memory & Data Storage